GB/T 13539.4-2009《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
注1:此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。
注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性,难以作出一般的规定;组合设备是否适合作熔断器底座,应由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们应符合GB 13539.1-2008的相关要求。
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:
a) 熔断体的下列特性:
1) 额定值;
2) 正常工作时的温升;
3) 耗散功率;
4) 时间-电流特性;
5) 分断能力;
6) 截断电流特性和I2t特性;
7) 电弧电压极限值。
b) 验证熔断体特性的型式试验;
c) 熔断体标志;
d) 应提供的技术数据(见附录B)。
标准信息:
- 免责声明:本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式标准出版物为准。本网站所提供的电子文本均来自于互联网,其版权由其发行商所有,仅供个人学习、研究之用,未经授权,禁止复制、发行、汇编、翻译等。
- 中文名称:低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
- 英文名称:Low-voltage fuses--Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconduc
- 标准分类:产品基础标准
- 国际标准分类:29.120.50
- 中国标准分类:K31
- 标准前缀:GB/T
- 标准状态:废止
- 发布单位:CN-GB
- 发布日期:2009-04-21
- 废止日期:2016-11-01
- 实施日期:2009-11-01
- 页数:36 页
第1页
第2页
第3页
第4页
第5页
第6页
第7页
第8页
第9页
第10页