GB/T 14847-1993《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

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中文名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substra
标准分类：产品方法标准
国际标准分类：29.040.30
中国标准分类：H21
标准前缀：GB/T
标准状态：废止
发布单位：CN-GB
发布日期：1993-12-24
废止日期：2011-10-01
实施日期：1994-09-01
页数：8 页