GB/T 19444-2004《硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法》
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。
本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
标准信息:
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- 中文名称:硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法
- 英文名称:Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduct
- 标准分类:产品方法标准
- 国际标准分类:29.040.01
- 中国标准分类:H26
- 标准前缀:GB/T
- 标准状态:现行
- 发布单位:CN-GB
- 发布日期:2004-02-05
- 废止日期:无
- 实施日期:2004-07-01
- 页数:7 页
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