GB/T 29057-2012《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》
本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0. 002~100) ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02~15) ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
标准信息:
- 免责声明:本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式标准出版物为准。本网站所提供的电子文本均来自于互联网,其版权由其发行商所有,仅供个人学习、研究之用,未经授权,禁止复制、发行、汇编、翻译等。
- 中文名称:用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
- 英文名称:Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscop
- 标准分类:产品基础标准
- 国际标准分类:29.045
- 中国标准分类:H80
- 标准前缀:GB/T
- 标准状态:现行
- 发布单位:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
- 发布日期:2012-12-31
- 废止日期:无
- 实施日期:2013-10-01
- 页数:16 页
第1页
第2页
第3页
第4页
第5页
第6页
第7页
第8页
第9页
第10页