GB/T 33657-2017《纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范》
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。br />本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元,100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。br />本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
标准信息:
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- 中文名称:纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
- 英文名称:Nanotechnologies-Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase c
- 标准分类:产品方法标准
- 国际标准分类:31.200
- 中国标准分类:L56
- 标准前缀:GB/T
- 标准状态:现行
- 发布单位:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
- 发布日期:2017-05-12
- 废止日期:无
- 实施日期:2017-12-01
- 页数:16 页
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