GB/T 6219-1998《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

标准信息：

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  2. 中文名称：半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
  3. 英文名称：Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank deta
  4. 标准分类：产品基础标准
  5. 国际标准分类：31.080.30
  6. 中国标准分类：L42
  7. 标准前缀：GB/T
  8. 标准状态：现行
  9. 发布单位：CN-GB
  10. 发布日期：1998-11-17
  11. 废止日期：无
  12. 实施日期：1999-06-01
  13. 页数：18 页

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