GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。
本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

标准信息:

  1. 免责声明:本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式标准出版物为准。本网站所提供的电子文本均来自于互联网,其版权由其发行商所有,仅供个人学习、研究之用,未经授权,禁止复制、发行、汇编、翻译等。
  2. 中文名称:CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
  3. 英文名称:Design requirements of radiation hardening for CMOS IC
  4. 标准分类:产品其他标准
  5. 国际标准分类:49.035
  6. 中国标准分类:V29
  7. 标准前缀:GB/T
  8. 标准状态:未实施
  9. 发布单位:国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  10. 发布日期:2021-12-31
  11. 废止日期:
  12. 实施日期:2022-07-01
  13. 页数:20 页
  • 第1页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第1页
  • 第2页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第2页
  • 第3页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第3页
  • 第4页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第4页
  • 第5页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第5页
  • 第6页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第6页
  • 第7页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第7页
  • 第8页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第8页
  • 第9页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第9页
  • 第10页


    GB/T 41033-2021《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》标准预览第10页