SJ 1646-1980《3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管》
本标准适用于耗散功率为300W的3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频放大、电源变换和低速开关电路中。该产品除应符合本标准规定外,还应符合部标准SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。
标准信息:
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- 中文名称:3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
- 英文名称:Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD175
- 标准分类:完整的产品标准
- 国际标准分类:31.080.30
- 中国标准分类:L42
- 标准前缀:SJ
- 标准状态:废止
- 发布单位:中华人民共和国第四机械工业部
- 发布日期:1980-11-27
- 废止日期:2017-06-02
- 实施日期:1981-06-01
- 页数:2 页
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