SJ 1646-1980《3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管》

本标准适用于耗散功率为300W的3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频放大、电源变换和低速开关电路中。该产品除应符合本标准规定外,还应符合部标准SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。

标准信息:

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  2. 中文名称:3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
  3. 英文名称:Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD175
  4. 标准分类:完整的产品标准
  5. 国际标准分类:31.080.30
  6. 中国标准分类:L42
  7. 标准前缀:SJ
  8. 标准状态:废止
  9. 发布单位:中华人民共和国第四机械工业部
  10. 发布日期:1980-11-27
  11. 废止日期:2017-06-02
  12. 实施日期:1981-06-01
  13. 页数:2 页
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