SJ 50033/85-1995《半导体分立器件 CS141型硅N沟道 MOS耗尽型场效应晶体管详细规范》
1.1 主题内容
本标准规定了CS141型硅N沟道 MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
1.2 适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。
1.3 分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。
1.3.1 器件的等级
按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。
标准信息:
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- 中文名称:半导体分立器件 CS141型硅N沟道 MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
- 英文名称:Semiconductor discrete device -- Detail specification for type CS141 silicon N-channel MOS deplition
- 标准分类:产品其他标准
- 中国标准分类:L44
- 标准前缀:SJ
- 标准状态:现行
- 发布单位:中华人民共和国电子工业部
- 发布日期:1995-05-25
- 废止日期:无
- 实施日期:1995-12-01
- 页数:11 页
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