GB/T 24578-2015《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱,定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的定,测定范围为10 9 atoms/cm 2~ 10 15 atoms/cm 2 。本标准同样适用于其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
对良好的镜面抛光表面,可探测深度约5nm,分析深度随表面粗糙度的改善而增大。
本方法可检测元素周期表中原子序数 16(S)~92(U)的元素,尤其适用于测定以下元素:钾、钙、
钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、、钨、铂、金、汞和铅。
本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数,无干扰检测限是元素原子序数的函数,其变化超过两个数量级。重复性和检限的关系见附录A
本方法是非破坏性的,是对其他测试方法的补充,与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。
标准信息:
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- 中文名称:硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
- 英文名称:Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fl
- 标准分类:产品方法标准
- 国际标准分类:77.040
- 中国标准分类:H17
- 标准前缀:GB/T
- 标准状态:现行
- 发布单位:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
- 发布日期:2015-12-10
- 废止日期:无
- 实施日期:2017-01-01
- 页数:13 页
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