SJ/T 9014.8.2-2018《半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范》
本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。
本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。
标准信息:
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- 中文名称:半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 英文名称:Semiconductor devices-Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
- 标准分类:管理标准
- 国际标准分类:31.080.30
- 中国标准分类:L44
- 标准前缀:SJ/T
- 标准状态:现行
- 发布单位:中华人民共和国工业和信息化部
- 发布日期:2018-04-30
- 废止日期:无
- 实施日期:2018-07-01
- 页数:20 页
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